本文摘要：第三代半导体是近年来新兴的技术，主要探讨碳化硅、氮化镓等长禁带半导体新材料领域的突破性技术发展和新材料设备的开发。
第三代半导体是近年来新兴的技术，主要探讨碳化硅、氮化镓等长禁带半导体新材料领域的突破性技术发展和新材料设备的开发。20世纪初，第三代半导体经常涉及专利申请。
大约2000年后，专利申请开始转移到快速增长阶段。美国早期领先世界专利，2010年前后我国申请量首次达到美国。
美国、日本、中国、韩国、德国等国家和地区专利申请量急速增加。截至2018年9月30日，第三代半导体产业专利总量约为8.751万件。
碳化硅、氮化镓、其他金属氧化物三大材料申请人数更相似，其中碳化硅材料功率半导体和设备技术更受欢迎，氮化镓材料外延生长和光电子比较小。从底层技术、结构、设备等方面，氮化镓设备制造的技术进化如下图所示。氮化镓具有大带宽、低电子饱和状态速度、低穿透电场、高热导率、耐腐蚀、防辐射等优点，与现有硅半导体技术兼容性强，在降低成本方面显示出更大的潜力。
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